FinFET, joka tunnetaan myös nimellä Fin Field Effect Transistor, on eräänlainen ei-tasomainen tai "3D" transistori, jota käytetään nykyaikaisten prosessoreiden suunnittelussa. Kuten aikaisemmissa, tasomaisissa malleissa, se on rakennettu SOI-pohjaan (silikoni eristimeen). FinFET-mallit käyttävät kuitenkin myös johtavaa kanavaa, joka nousee eristimen tason yläpuolelle, jolloin muodostuu ohut silikonirakenne, joka on muotoiltu finiksi, jota kutsutaan porttielektrodiksi. Tämä fin-muotoinen elektrodi sallii useiden porttien toimia yhdellä transistorilla.

Tämän tyyppinen moniporttiprosessi laajentaa Mooren lakia, jolloin puolijohdevalmistajat voivat luoda pienempiä, nopeampia ja vähemmän energiaa kuluttavia CPU: ita ja muistimoduuleja. Intel aloitti FinFET CPU -teknologian julkaisemisen vuonna 2012 22 nm: n Ivy Bridge -prosessoreilla.

CPU-ehdot, Suunnittelu, Portti, Eristin, Ivy-silta, Nanometri, Silicon